El STGF19NC60SD es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de canal N. Está diseñado específicamente para ofrecer un equilibrio óptimo entre velocidad de conmutación y bajas pérdidas de energía.
- Voltaje Máximo entre Colector y Emisor: 600 Voltios.
- Corriente Continua de Colector: 19 Amperios (medidos a una temperatura de 25 grados Celsius).
- Corriente Continua de Colector (a 100 °C): 10 Amperios (es la capacidad real de trabajo continuo bajo calor).
- Corriente Máxima de Colector (Pulsada): 40 Amperios.
- Voltaje de Saturación entre Colector y Emisor: 1.6 Voltios (valor típico), lo que permite un funcionamiento eficiente con poco desperdicio de energía.
- Voltaje Máximo entre Puerta y Emisor: más o menos 20 Voltios.
- Potencia Máxima Disipada: 32 Vatios (debido a su encapsulado aislado, disipa menos calor que las versiones metálicas).
- Diodo de Recuperación Ultra Rápida Integrado: Sí, incluye protección interna para cargas inductivas.
- Tipo de Encapsulado: TO-220FP (Full Pack), lo que significa que el cuerpo del transistor está completamente aislado con plástico, permitiendo montarlo directamente en un disipador de calor sin necesidad de aislantes adicionales (micas).
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