El NTD2955T4G de onsemi es un MOSFET de potencia de canal P diseñado para aplicaciones de conmutación de baja tensión y alta velocidad, y para soportar alta energía en modos de avalancha y conmutación.
NTD2955T4G Transistor Mosfet De Potencia
$ 6.500
20 disponibles
20 disponibles
Datasheet
Descripción
El NTD2955T4G de onsemi es un MOSFET de potencia de canal P diseñado para aplicaciones de conmutación de baja tensión y alta velocidad, y para soportar alta energía en modos de avalancha y conmutación.
| Tipo de Canal | P |
| Tensión Drenaje-Fuente (Vdss) | -60 V |
| Corriente de Drenaje Continua (Id) | -12 A (a 25 °C) |
| Disipación de Potencia Máxima (Pd) | 55 W (a 25 °C) |
| Resistencia Drenaje-Fuente en estado ON (Rds(on)) | 0.155 Ω típico (con Vgs = -10 Vdc, Id = -6.0 Adc) |
| Tensión Umbral de Puerta (Vgs(th)) | -2.0 V a -4.0 V |
| Tensión Puerta-Fuente (Vgs) | ±20 Vdc |
| Encapsulado | DPAK (TO-252) de 3 pines |
| Modo de Canal | Mejoramiento (Enhancement Mode) |
Información adicional
| Tipo de Canal | P |
|---|---|
| Tensión Drenaje-Fuente (Vdss) | -60 V |
| Corriente de Drenaje Continua (Id) | -12 A (a 25 °C) |
| Disipación de Potencia Máxima (Pd) | 55 W (a 25 °C) |
| Resistencia Drenaje-Fuente en estado ON (Rds(on)) | 0.155 Ω típico (con Vgs = -10 Vdc, Id = -6.0 Adc) |
| Tensión Umbral de Puerta (Vgs(th)) | -2.0 V a -4.0 V |
| Tensión Puerta-Fuente (Vgs) | ±20 Vdc |
| Encapsulado | DPAK (TO-252) de 3 pines |
| Modo de Canal | Mejoramiento (Enhancement Mode) |
Valoraciones
No hay valoraciones aún.