El STD110N8F6 es un MOSFET de potencia de canal N de alto rendimiento fabricado por STMicroelectronics. Utiliza la tecnología STripFET™ F6 con una estructura de puerta tipo trinchera (trench), lo que le permite ofrecer una resistencia en conducción muy baja y una alta eficiencia en aplicaciones de conmutación.
| Voltaje Drenaje-Fuente | 80 V |
| Corriente de Drenaje Continua | 80 A (limitada por encapsulado) / 110 A (silicio) |
| Resistencia en Conducción | 5.6 m(típ.) / 6.5 m(máx.) |
| Disipación de Potencia Máxima | 167 W |
| Voltaje de Umbral de Puerta | 2.5 V a 4.5 V |
| Carga de Puerta Total | 150 nC |
| Encapsulado | TO-252 (DPAK) |
| Temperatura de Operación | -55 °C a +175 °C |
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