El STB20NM50FD es un transistor MOSFET de potencia de canal N que utiliza la tecnología FDmesh. Se caracteriza por combinar una baja resistencia en conducción con un diodo de cuerpo de recuperación rápida (fast recovery), lo que lo hace ideal para topologías de puente y convertidores de alta eficiencia.
| Voltaje Drenaje-Fuente | 500 V |
| Corriente de Drenaje Continua | 20 A |
| Resistencia en Conducción | 200 m Ohm (0.20 Ohm) |
| Disipación de Potencia Máxima | 192 W |
| Carga de Puerta Total | 45 nC (típico) |
| Voltaje de Umbral de Puerta | 3 V a 5 V |
| Encapsulado | D²PAK (TO-263) |
| Temperatura de Operación | -65 °C a +150 °C |
Valoraciones
No hay valoraciones aún.