El MJD45H11T4G es un transistor bipolar de potencia de tipo PNP fabricado en silicio, diseñado para aplicaciones de conmutación rápida y amplificación de potencia general. Se caracteriza por manejar corrientes elevadas en un formato de montaje superficial (SMD).
- Voltaje Máximo entre Colector y Emisor: Soporta hasta 80 Voltios.
- Voltaje Máximo entre Colector y Base: Soporta hasta 80 Voltios.
- Corriente Continua en el Colector: Puede manejar un flujo constante de hasta 8 Amperios.
- Corriente Máxima en Pulsos: Aguanta picos breves de hasta 16 Amperios.
- Ganancia de Corriente: Tiene una capacidad de amplificación de entre 40 y 60 veces la señal de entrada (dependiendo de la carga).
- Frecuencia de Trabajo: Puede funcionar en circuitos que cambian de estado hasta 90 Megahertz.
- Capacidad de Disipación de Calor: Puede liberar hasta 20 Vatios de energía (siempre que la placa donde esté soldado ayude a enfriarlo).
- Temperatura de Operación: Funciona correctamente en un rango de entre 55 grados bajo cero y 150 grados centígrados.
- Tipo de Transistor: Es un transistor de silicio tipo PNP.
- Tipo de Montaje: Es para montaje superficial (se suelda directamente sobre las pistas de la placa, no atraviesa agujeros).
- Forma del Componente: Utiliza el diseño estándar llamado DPAK (también conocido como TO-252).
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