El IRFR9120NTRPBF es un transistor de potencia MOSFET de canal P de alta velocidad, basado en la tecnología de quinta generación HEXFET® . Está diseñado principalmente para aplicaciones de conmutación eficiente y gestión de energía en circuitos de voltaje medio.
Especificaciones Técnicas Clave
- Voltaje Drenaje-Fuente: -100 V (el valor negativo denota su polaridad de canal P).
- Corriente Continua de Drenaje: Hasta -6.6 A (a una temperatura de carcasa de 25 °C).
- Resistencia en conducción: 0.48 Ω (480 mΩ) cuando es activado con un voltaje de compuerta de -10 V.
- Voltaje de Umbral: Entre -2.0 V y -4.0 V (voltaje requerido en la compuerta para comenzar la conducción).
- Disipación de Potencia Máxima: 40 W.
- Encapsulado: Formato de montaje superficial TO-252AA (DPAK) de 3 pines.
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