$ 8.500
20 disponibles
El IRF7854TRPBF es un transistor de potencia de tipo N-Channel MOSFET de alto rendimiento, fabricado por Infineon Technologies bajo la tecnología HEXFET®. Está diseñado para aplicaciones que requieren robustez y eficiencia en la gestión de energía, especialmente en voltajes medios.
Voltaje Drenaje-Fuente : 80 V
Corriente de Drenaje Continua:10 A
Resistencia en Conducción: 13.4 mΩ
Voltaje Umbral del Gate: 4.9 V
Disipación de Potencia: 2.5 W
Rango de Temperatura: –55 °C y 150 °C
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El IRF7854TRPBF es un transistor de potencia de tipo N-Channel MOSFET de alto rendimiento, fabricado por Infineon Technologies bajo la tecnología HEXFET®. Está diseñado para aplicaciones que requieren robustez y eficiencia en la gestión de energía, especialmente en voltajes medios.
| Voltaje Drenaje-Fuente | 80V |
|---|---|
| Corriente de Drenaje Continua | 10A |
| Resistencia en Conducción | 13.4 mΩ |
| Voltaje Umbral del Gate | 4.9 V |
| Disipación de Potencia | 2.5 W |
| Rango de Temperatura | –55 °C y 150 °C |
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