IPA60R125C6 Transistor Mosfet

$ 12.500

9 disponibles

El IPA60R125C6 es un MOSFET de potencia de canal N de alto voltaje que utiliza la tecnología . Está diseñado bajo el principio de superunión (SJ), lo que le permite ofrecer pérdidas de conmutación extremadamente bajas y una alta eficiencia en aplicaciones de conversión de energía.

Voltaje Drenaje-Fuente: 600V

Corriente de Drenaje Continua: 30A

Resistencia en Encendido:  0.125Ω

Disipación de Potencia:34W

Encapsulado: TO-220FP

Carga de Puerta : 96 nC

9 disponibles

SKU: 31000 Categorías: ,

Datasheet

Descripción

El IPA60R125C6 es un MOSFET de potencia de canal N de alto voltaje que utiliza la tecnología . Está diseñado bajo el principio de superunión (SJ), lo que le permite ofrecer pérdidas de conmutación extremadamente bajas y una alta eficiencia en aplicaciones de conversión de energía.

Gracias a su tecnología de conmutación rápida, es ideal para:
  • Etapas de corrección del factor de potencia (PFC).
  • Fuentes de alimentación para servidores, telecomunicaciones y computadoras (Silverbox).
  • Adaptadores de corriente y cargadores de alta eficiencia.
  • Inversores solares y sistemas UPS.
  • Balastros de iluminación y controladores de TV (LCD y PDP).

 

Información adicional

Voltaje Drenaje-Fuente

600V

Corriente de Drenaje Continua

30A

Resistencia en Encendido

0.125Ω

Disipación de Potencia

34W

Encapsulado

TO-220FP

Carga de Puerta

96 nC

Valoraciones

No hay valoraciones aún.

Sé el primero en valorar “IPA60R125C6 Transistor Mosfet”

Tu dirección de correo electrónico no será publicada. Los campos obligatorios están marcados con *

Título

Ir a Arriba