El IHW30N160R2 es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de canal N, bajo la tecnología TRENCHSTOP™. Se caracteriza por su capacidad para manejar voltajes extremadamente altos y su alta eficiencia en aplicaciones de potencia.
- Voltaje Máximo entre Colector y Emisor: 1600 Voltios (1.6 kV).
- Corriente Continua de Colector: 30 Amperios (a una temperatura de 100 °C).
- Corriente Máxima de Colector (Pulsada): 90 Amperios.
- Voltaje de Saturación entre Colector y Emisor: 1.8 Voltios (valor típico), lo que indica una baja pérdida de energía durante la conducción.
- Potencia Máxima Disipada: 312 Vatios.
- Voltaje Máximo entre Puerta y Emisor: más o menos 20 Voltios.
- Temperatura de Operación de la Unión: desde -40 hasta +175 grados Celsius.
- Tiempo de Apagado: 675 nanosegundos (valor típico).
- Diodo Integrado: Es un transistor de conducción inversa (RC-IGBT) que incluye un diodo monolítico de recuperación rápida.
- Tipo de Encapsulado: TO-247 (formato de tres terminales diseñado para alta potencia).
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