El FY4AEJ-03 es un arreglo dual de transistores de potencia MOSFET (un canal N y un canal P complementarios) integrados en un solo chip. este componente se aloja en un encapsulado de montaje superficial SOP-8 y está optimizado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y bajo voltaje.
Especificaciones Técnicas Clave
- Estructura Interna: 1 MOSFET Canal-N y 1 MOSFET Canal-P (Par complementario).
- Voltaje Máximo Drenaje-Fuente: 30 V.
- Resistencia en Estado Activo: Ultra baja, aproximadamente 30 mΩ (0.03 Ohm).
- Encapsulado: SOP-8 (8 pines, montaje superficial).
- Aplicación Principal: Conmutador de alta velocidad (High-Speed Switching).
Valoraciones
No hay valoraciones aún.