El FQA13N80 es un transistor MOSFET de canal N de alta potencia, diseñado originalmente por Fairchild Semiconductor (ahora parte de onsemi) bajo su serie QFET®. Utiliza una tecnología patentada de franja planar y DMOS para ofrecer una conmutación rápida y una alta resistencia a picos de energía (avalancha).
Voltaje Drenaje-Fuente: 800 V
Corriente de Drenaje Continua:12.6 A
Resistencia en Encendido : 0.75
Disipación de Potencia:300 W
Carga de Puerta : 68 nC
Encapsulado:TO-3PN
Temperatura de Operación: -55 °C a +150 °C.
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