El FDS2572 es un transistor MOSFET de potencia de canal N de alto voltaje, utilizando la tecnología UltraFET Trench.
Este componente destaca por su capacidad de manejar voltajes elevados de hasta 150V, lo que lo hace ideal para convertidores DC-DC de alta frecuencia, infraestructuras de telecomunicaciones (48V) y sistemas de gestión de baterías.
Especificaciones Técnicas Clave
- Voltaje Drenaje-Fuente : 150 V.
- Corriente de Drenaje Continua: 4.9 A.
- Resistencia de Encendido: 47 mΩ = 10V).
- Carga de Puerta: 38 nC (típico), optimizado para conmutación rápida.
- Encapsulado: SOIC-8 (montaje superficial).
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