El 2SK2586 es un MOSFET (transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico) de potencia de canal N diseñado para conmutación de alta velocidad en aplicaciones de potencia, fabricado principalmente por Hitachi (ahora Renesas). Es conocido por su baja resistencia en estado activo y se puede controlar con una fuente de 5V, lo que lo hace versátil.
| Voltaje Drenador-Fuente (VDS) | 60 V | |
| Corriente de Drenaje Continua (ID) | 60 A (a Tc=25°C) | |
| Disipación de Potencia Máxima (PD) | 125 W (a Tc=25°C) | |
| Resistencia en Estado Activo (RDS(ON)) | Típ. 7 mΩ (máx. 10 mΩ) | |
| Voltaje Umbral de Puerta (Vgs(th)) | Mín. 1.0 V, Máx. 2.0 V | |
| Encapsulado | TO-3P (montaje con brida) | |
| Características | Dispositivo de accionamiento de compuerta de 4 V |
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