12N60A4 Transistor IGBT

$ 14.000

8 disponibles

El 12N60A4es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de canal N, diseñado específicamente para aplicaciones de conmutación de alto voltaje y alta frecuencia.

  • Voltaje Colector-Emisor: 600V
  • Corriente de Colector Continua: 54A – 25°C 12A
  • Voltaje de Saturación Colector-Emisor:  2.0V
  • Disipación de Potencia: 125W
  • Voltaje Puerta-Emisor:20V 
  • Frecuencia de Operación: Optimizado para operar a más de 100kHz (390V, 12A) Y Hasta 200kHz (390V, 9A)

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SKU: 49004 Categorías: ,

Datasheet

Descripción

El 12N60A4es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de canal N, diseñado específicamente para aplicaciones de conmutación de alto voltaje y alta frecuencia.

Aplicaciones Comunes
Está optimizado para fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de alta frecuencia y aplicaciones donde las bajas pérdidas de conducción son críticas. Es común encontrarlo en:
  • Inversores de potencia.
  • Controles de motores.
  • Sistemas de soldadura industrial.
  • Sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS).

Información adicional

Voltaje Colector-Emisor

600V

Corriente de Colector Continua

54A – 25°C 12A

Voltaje de Saturación Colector-Emisor

2.0V

Disipación de Potencia

125W

Voltaje Puerta-Emisor

20V

Frecuencia de Operación

Optimizado para operar a más de 100kHz (390V, 12A) Y Hasta 200kHz (390V, 9A)

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