El ZXMN6A09G es un transistor MOSFET de potencia de canal N de modo de enriquecimiento, diseñado por Diodes Incorporated (Zetex). Utiliza una estructura de trinchera («trench») que permite una baja resistencia en estado activo combinada con una alta velocidad de conmutación, lo que lo hace ideal para la gestión de energía y control de carga de alta eficiencia.
| Voltaje Drenaje-Fuente | 60 | Voltios (V) |
| Corriente Continua de Drenaje | 6.9 a 7.5 | Amperios (A) |
| Resistencia en Encendido | 40 a 60 | Miliohmios (m) |
| Voltaje Umbral de Puerta | 1.0 (mín) a 3.0 (máx) | Voltios (V) |
| Voltaje Puerta-Fuente Máximo |
20
|
Voltios (V) |
| Disipación de Potencia Máxima | 3.9 | Vatios (W) |
| Carga de Puerta Típica | 24.2 | Nanoculombios (nC) |
| Temperatura de Operación | -55 a 150 | Grados Celsius (°C) |
| Encapsulado | SOT-223 | SMD |
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