ZVN3320FTA Transistor Mosfet

$ 8.500

30 disponibles

El ZVN3320FTA es un transistor MOSFET de potencia de canal N de modo enriquecimiento. Está diseñado con tecnología DMOS vertical para ofrecer una alta velocidad de conmutación y una impedancia de entrada elevada, lo que lo hace ideal para aplicaciones de gestión de energía y amplificadores.

Voltaje Drenaje-Fuente  200 V
Corriente de Drenaje Continua  60 mA
Resistencia en Conducción  25 Ohm
Voltaje de Umbral de Puerta  1.0 V a 3.0 V
Disipación de Potencia Máxima  330 mW
Carga de Puerta Total  3.5 nC (típico)
Encapsulado SOT-23 (Montaje superficial)
Temperatura de Operación  -55 °C a +150 °C

30 disponibles

SKU: 43001 Categorías: ,

Datasheet

Descripción

El ZVN3320FTA es un transistor MOSFET de potencia de canal N de modo enriquecimiento. Está diseñado con tecnología DMOS vertical para ofrecer una alta velocidad de conmutación y una impedancia de entrada elevada, lo que lo hace ideal para aplicaciones de gestión de energía y amplificadores.

Características y Ventajas
  • Conmutación Ultra Rápida: Presenta tiempos de encendido y apagado extremadamente cortos (típicos de 5 ns a 6 ns), lo que minimiza las pérdidas en circuitos de alta frecuencia.
  • Nivel Lógico: Su bajo voltaje de umbral permite que sea activado directamente por la mayoría de los microcontroladores y circuitos lógicos estándar.
  • Baja Capacitancia: Con una capacitancia de entrada de solo 45 pF, requiere muy poca corriente de puerta para conmutar.

Información adicional

Voltaje Drenaje-Fuente 

200 V

Corriente de Drenaje Continua 

60 mA

Resistencia en Conducción 

25 Ohm

Voltaje de Umbral de Puerta 

1.0 V a 3.0 V

Disipación de Potencia Máxima 

330 mW

Carga de Puerta Total 

3.5 nC (típico)

Encapsulado

Encapsulado

Temperatura de Operación 

-55 °C a +150 °C

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