Es un circuito integrado que contiene cuatro amplificadores operacionales independientes en un solo chip. Utiliza un proceso de fabricación CMOS de compuerta de silicio que le permite lograr una relación de velocidad/consumo excepcionalmente eficiente. Está diseñado para aplicaciones de alta fidelidad y larga duración de batería gracias a su consumo de corriente casi insignificante.
Características técnicas principales
- Encapsulado: SOIC de 14 pines (SO-14 / SO-14 Small Outline) de montaje superficial (SMD), suministrado en cinta y carrete (identificado por la letra ‘T’).
- Rango de alimentación: Funciona con fuente simple desde 3 V hasta 16 V o con fuente simétrica/dual (±1.5 V a ±8 V).
- Consumo de corriente ultra bajo: Típicamente solo 10 μA por amplificador (un total aproximado de 40 μA para todo el chip).
- Ancho de banda (Gain Bandwidth Product): 100 kHz (0.1 MHz).
- Impedancia de entrada extremadamente alta: Típicamente del orden de 10¹² Ω (1 TΩ), lo que reduce la corriente de polarización de entrada a niveles de picoamperios (1 a 150 pA).
- Rango de temperatura operativa (C-Suffix): Diseñado para el rango comercial/industrial estándar de 0 °C a +70 °C o -40 °C a +125 °C dependiendo de la revisión del lote.
- Salida Rail-to-Ground: El voltaje de salida puede descender de manera estable prácticamente hasta el potencial de tierra (0 V) cuando se usa una fuente simple.
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