El TN2501N8-G es un transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de canal N, de tipo enriquecimiento (enhancement mode / normalmente apagado) y tecnología DMOS vertical. Está optimizado para ofrecer un umbral de voltaje bajo (low threshold) y altas velocidades de conmutación.
⚙️ Características Técnicas Principales:
- Encapsulado (N8): TO-243AA, comúnmente conocido como SOT-89 (diseñado para montaje superficial con excelente disipación térmica).
- Voltaje Máximo Drenador-Fuente: 18 V.
- Corriente Continua de Drenaje: 400 mA (0.4 A) a temperatura de unión.
- Corriente de Pulso Máxima: 0.56 A (560 mA).
- Resistencia en Estado Encendido: Máximo 2.5 Ω cuando se activa con un voltaje en compuerta de 3.0 V.
- Voltaje de Umbral de Compuerta: Muy bajo, entre 0.6 V y 2.0 V (lo que permite activarlo directamente con lógica digital de bajo voltaje).
- Disipación de Potencia Máxima: Hasta 1.6 W gracias a su encapsulado con pestaña térmica.
- Libre de Avalancha Térmica: Al poseer un coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS, no sufre de rupturas secundarias inducidas por calor.
- El sufijo «-G»: Indica que el componente cumple con las normativas ambientales y es libre de plomo (RoHS / Green).
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