El STU601S es un transistor de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de canal P de modo de enriquecimiento y nivel lógico. Está diseñado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia y gestión de energía en espacios reducidos.
- Voltaje Drenaje-Fuente: -60 V (máximo).
- Corriente de Drenaje Continua: -15 A (a 25 °C).
- Resistencia en conducción
- Típica de 78 mΩ (máximo 95 mΩ) con un voltaje puerta-fuentede -10 V.
- Típica de 93 mΩ (máximo 125 mΩ) de -4.5 V.
- Voltaje Umbral de Puerta: Entre -1 V y -3 V.
- Disipación de Potencia Máxima : 42 W (a = 25 °C).
- Encapsulado: TO-252 (D-PAK), diseñado para montaje superficial.
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