El STP80NF12 es un transistor MOSFET de potencia de canal N. Está diseñado específicamente para aplicaciones que requieren alta eficiencia y conmutación de alta frecuencia, destacando por su baja carga de puerta y capacitancia de entrada mínima.
| Voltaje Drenaje-Fuente | 120 V |
| Corriente de Drenaje Continua | 80 A |
| Resistencia en Conducción | 15 m Ohm (típ.) / 18m Ohm (máx.) |
| Disipación de Potencia Máxima | 300 W |
| Voltaje de Umbral de Puerta | 2.0 V a 4.0 V |
| Carga de Puerta Total | 110 nC (típ.) / 189 nC (máx.) |
| Temperatura de Operación | -55 °C a +175 °C |
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