El STP2NK100Z es un transistor de potencia de tipo MOSFET de canal N de alto voltaje. Está diseñado para aplicaciones exigentes que requieren una alta resistencia a variaciones bruscas de voltaje y protección integrada contra descargas electrostáticas (ESD).
- Voltaje Drenaje-Fuente: 1000 V.
- Corriente de Drenaje Continua: 1.85 A (a 25°C).
- Resistencia en encendido: 6.25 (típico) / 8.5 (máximo).
- Disipación de Potencia Máxima : 70 W.
- Encapsulado: TO-220 (montaje a través de orificio / Through Hole).
- Protección Zener: Incluye diodos Zener integrados entre la compuerta (Gate) y la fuente (Source) para proteger el dispositivo contra transitorios de voltaje y mejorar su capacidad ESD.
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