STP21N90K5 Transistor Mosfet

$ 7.500

8 disponibles

El STP21N90K5 es un transistor MOSFET de potencia de canal N de muy alto voltaje, Este componente está diseñado para aplicaciones que requieren una alta densidad de potencia y eficiencia, como fuentes de alimentación industriales y balastos electrónicos.

Voltaje Drenaje-Fuente  900 V
Corriente de Drenaje Continua  18.5 A
Resistencia en Conducción  250 m Ohm (típ.) / 299 mOhm (máx.)
Disipación de Potencia Máxima  250 W
Voltaje de Umbral de Puerta  3 V a 5 V
Carga de Puerta Total  43 nC (típico a 10V)
Encapsulado TO-220 (Agujero pasante)
Temperatura de Operación  -55 °C a +150 °C

8 disponibles

SKU: 41006 Categoría:

Datasheet

Descripción

El STP21N90K5 es un transistor MOSFET de potencia de canal N de muy alto voltaje, Este componente está diseñado para aplicaciones que requieren una alta densidad de potencia y eficiencia, como fuentes de alimentación industriales y balastos electrónicos.

Características Destacadas
  • Tecnología MDmesh™ K5: Basada en una estructura vertical innovadora que reduce drásticamente la resistencia en conducción y la carga de puerta.
  • Protección Zener: Incluye diodos Zener integrados que protegen la compuerta contra sobretensiones y descargas electrostáticas (ESD).
  • Robustez de Avalancha: El dispositivo está probado al 100% contra avalanchas, lo que garantiza su fiabilidad ante picos de energía inesperados en el circuito.
  • Eficiencia Superior: Presenta uno de los mejores factores de mérito (FOM) de la industria, permitiendo diseños de fuentes conmutadas (SMPS) más compactos y eficientes.

Información adicional

Voltaje Drenaje-Fuente 

900 V

Corriente de Drenaje Continua 

18.5 A 

Resistencia en Conducción 

250 m Ohm (típ.) / 299 mOhm (máx.)

Disipación de Potencia Máxima 

250 W

Voltaje de Umbral de Puerta 

3 V a 5 V

Carga de Puerta Total 

43 nC

Encapsulado

TO-220

Temperatura de Operación 

-55 °C a +150 °C

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