El STP180N10F3 es un transistor MOSFET de potencia de canal N fabricado por STMicroelectronics bajo la tecnología STripFET™ III. Está diseñado específicamente para aplicaciones de conmutación de alta corriente que requieren una resistencia interna mínima y una carga de puerta reducida.
| Voltaje Drenaje-Fuente | 100 V |
| Corriente de Drenaje Continua | 120 A (limitada por encapsulado) |
| Resistencia en Conducción | 4.5 m (típ.) / 5.1 m(máx.) |
| Disipación de Potencia Máxima | 315 W |
| Voltaje de Umbral de Puerta | 2.0 V a 4.0 V |
| Carga de Puerta Total | 114.6 nC |
| Encapsulado | TO-220-3 (Agujero pasante) |
| Temperatura de Operación | -55 °C a +175 °C |
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