El STP110N8F6 es un transistor MOSFET de potencia de canal N que utiliza la sexta generación de la tecnología STripFET. Está diseñado para aplicaciones que requieren una resistencia en conducción extremadamente baja y una alta eficiencia en la conmutación de corrientes elevadas.
| Voltaje Drenaje-Fuente | 80 V |
| Corriente de Drenaje Continua | 110 A (limitada por el silicio) / 80 A (paquete) |
| Resistencia en Conducción | 5.6 m (típ.) / 6.5 m(máx.) |
| Disipación de Potencia Máxima | 176 W |
| Carga de Puerta Total | 110 nC |
| Voltaje de Umbral de Puerta | 2.5 V a 4.5 V |
| Encapsulado | TO-220 (Agujero pasante / THT) |
| Temperatura de Operación | -55 °C a +175 °C |
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