El STN1NK60Z es un transistor MOSFET de potencia de canal N de alto voltaje (600V). Utiliza la tecnología SuperMESH™, que optimiza el diseño para reducir la resistencia en conducción y mejorar la capacidad de manejo de variaciones rápidas de voltaje.
| Voltaje Drenaje-Fuente | 600 V |
| Corriente de Drenaje Continua |
300 mA a 800 mA (dependiendo del montaje y Tc) |
| Resistencia en Conducción | 13 (típ.) / 15 (máx.) |
| Voltaje de Umbral de Puerta | 3.0 V a 4.5 V |
| Disipación de Potencia Máxima | 3.3 W (en encapsulado SOT-223) |
| Encapsulado | SOT-223 (Montaje superficial) |
| Carga de Puerta Total | 4.9 nC (típ.) / 6.9 nC (máx.) |
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