El STGP30H60DF es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de canal N. Pertenece a la serie «H», diseñada para ofrecer una conmutación de alta velocidad con una eficiencia térmica superior.
Especificaciones Técnicas
- Voltaje Máximo entre Colector y Emisor: 600 Voltios.
- Corriente Continua de Colector (a 25 °C): 60 Amperios.
- Corriente Continua de Colector (a 100 °C): 30 Amperios (capacidad de trabajo constante bajo calor).
- Corriente Máxima de Colector (Pulsada): 120 Amperios.
- Voltaje de Saturación típico entre Colector y Emisor: 1.55 Voltios (lo que minimiza el calor generado durante la conducción).
- Voltaje Máximo entre Puerta y Emisor: más o menos 20 Voltios.
- Potencia Máxima Disipada: 260 Vatios (capacidad máxima de manejo de calor).
- Diodo de Recuperación Ultra Rápida Integrado: Sí, diseñado para trabajar en circuitos de alta frecuencia.
- Tipo de Encapsulado: TO-220 (formato estándar de tres terminales con lengüeta metálica)
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