El STGP19NC60SD es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de canal N, fabricado por STMicroelectronics. Utiliza la tecnología «PowerMESH» para ofrecer una conmutación muy rápida y eficiente en aplicaciones de potencia.
Especificaciones Técnicas:
- Voltaje Máximo entre Colector y Emisor: 600 Voltios.
- Corriente Continua de Colector (a 25 °C): 30 Amperios.
- Corriente Continua de Colector (a 100 °C): 19 Amperios (capacidad de trabajo constante bajo calor).
- Corriente Máxima de Colector (Pulsada): 75 Amperios.
- Voltaje de Saturación típico entre Colector y Emisor: 1.6 Voltios (indica baja pérdida de energía al estar encendido).
- Voltaje Máximo entre Puerta y Emisor: más o menos 20 Voltios.
- Potencia Máxima Disipada: 130 Vatios.
- Diodo de Recuperación Ultra Rápida Integrado: Sí, para protección en circuitos con cargas inductivas.
- Tipo de Encapsulado: TO-220 (formato de tres terminales con lengüeta metálica).
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