El STGF30H60DF es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de canal N de alto rendimiento. Pertenece a la serie «H», diseñada para ofrecer una conmutación extremadamente rápida y eficiente.
Especificaciones Técnicas
- Voltaje Máximo entre Colector y Emisor: 600 Voltios.
- Corriente Continua de Colector (a 25 °C): 60 Amperios.
- Corriente Continua de Colector (a 100 °C): 30 Amperios (capacidad de trabajo real bajo calor).
- Corriente Máxima de Colector (Pulsada): 120 Amperios.
- Voltaje de Saturación típico entre Colector y Emisor: 1.55 Voltios (lo que reduce el calor generado mientras conduce electricidad).
- Voltaje Máximo entre Puerta y Emisor: más o menos 20 Voltios.
- Potencia Máxima Disipada: 34 Vatios (debido a su cuerpo plástico aislado).
- Diodo de Recuperación Ultra Rápida Integrado: Sí, optimizado para trabajar en conjunto con el transistor.
- Tipo de Encapsulado: TO-220FP (Full Pack), lo que significa que su cuerpo es completamente de plástico y está aislado, permitiendo atornillarlo directamente a un disipador de calor sin usar aislantes.
Valoraciones
No hay valoraciones aún.