El STB20NM60T4 es un transistor MOSFET de potencia de canal N. Está diseñado para aplicaciones que requieren una resistencia en conducción muy baja, alta capacidad de conmutación y robustez ante variaciones rápidas de voltaje.
| Voltaje Drenaje-Fuente | 600 V |
| Corriente de Drenaje Continua | 20 A |
| Resistencia en Conducción | 250 m(típ.) / 290 m(máx.) |
| Disipación de Potencia Máxima | 192 W |
| Voltaje de Umbral de Puerta | 3 V a 5 V |
| Carga de Puerta Total | 54 nC |
| Encapsulado | D2PAK (TO-263) |
| Temperatura de Operación | -65 °C a +150 °C |
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