El SPA20N60C3 es un transistor MOSFET de potencia de canal N que utiliza la tecnología avanzada CoolMOS C3 de Infineon Technologies. Está diseñado para aplicaciones de alta tensión y conmutación rápida, destacando por su baja resistencia en conducción y su capacidad para manejar altas corrientes en paquetes compactos.
- Voltaje Drenaje-Fuente: 600V (con un máximo de hasta 650V en ciertas condiciones de operación).
- Corriente de Drenaje Continua : 20.7A (a una temperatura de carcasa de 25°C).
- Resistencia en Conducción : Típicamente 0.19 Ω (190 mΩ).
- Voltaje de Umbral de Compuerta : Típicamente 3V (rango de 2.1V a 3.9V).
- Disipación de Potencia : 34.5W para la variante SPA (encapsulado aislado).
- Encapsulado: TO-220FP (también conocido como FullPAK), que está completamente aislado eléctricamente, facilitando su montaje sin necesidad de aislantes externos adicionales
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