El SI9948AEY es un circuito integrado de montaje superficial que contiene un MOSFET dual de canal P. Está diseñado para aplicaciones de conmutación de energía eficientes e inversores industriales.
Especificaciones Técnicas Clave
- Polaridad de Transistor: Dos MOSFET de Canal P (Dual P-Channel).
- Voltaje Drenaje-Fuente: -60 V.
- Corriente Continua de Drenaje : -2.6 A (a 25 °C).
- Resistencia en Conducción:
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- 0.17 Ω a un voltaje de compuerta de -10 V.
- 0.26 Ω a un voltaje de compuerta de -4.5 V.
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- Temperatura Máxima de Operación: Hasta 175 °C, ideal para entornos de alta exigencia térmica.
- Encapsulado: SOIC-8 (SOP de 8 pines) de montaje superficial.
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