SI9945AEY Transistor Mosfet

Name: SI9945AEY Transistor Mosfet - Rework Service
SKU: 106006
Price: 10000 COP
Availability: InStock

$ 10.000

4 disponibles

El SI9945AEY es un transistor MOSFET de doble canal N en un solo encapsulado.

📊 Especificaciones Clave

Configuración: Dos transistores de Canal N independientes en el mismo chip.
Voltaje Drenaje-Fuente : Máximo de 60 V.
Corriente de Drenaje Continua: Hasta 3.7 A (a un ambiente de 25°C).
Resistencia en Conducción:
- 80 mΩ máximo cuando el voltaje de compuerta es de 10 V.
- 100 mΩ máximo cuando el voltaje de compuerta es de 4.5 V.
Voltaje de Umbral de Compuerta : Entre 1 V y 3 V (es un MOSFET de nivel lógico).
Disipación de Potencia Máxima: 2.4 W.
Temperatura de Operación de la Juntura : De -55°C hasta 175°C.
Tipo de Encapsulado: SOIC-8 (montaje superficial con 8 pines).

4 disponibles

SKU: 106006 Categorías: Semiconductores Discretos, Transistor Mosfet

Datasheet

El SI9945AEY es un transistor MOSFET de doble canal N en un solo encapsulado.

Aplicaciones Principales

Control de motores: Ideal para motores de corriente continua (DC) pequeños y motores paso a paso.
Convertidores de energía: Se usa en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) y convertidores DC-DC de baja potencia.
Sistemas de batería: Gestión de carga y protección en dispositivos portátiles.
Controladores de líneas: Conmutación de cargas en sistemas industriales y de telecomunicaciones.

Configuración	Dos transistores de Canal N independientes en el mismo chip.
Voltaje Drenaje-Fuente	60 V
Corriente de Drenaje Continua	3.7 A
Resistencia en Conducción	80 mΩ máximo cuando el voltaje de compuerta es de 10 V. 100 mΩ máximo cuando el voltaje de compuerta es de 4.5 V.
Voltaje de Umbral de Compuerta	1 V y 3 V
Disipación de Potencia Máxima	2.4 W
Temperatura de Operación de la Juntura	-55°C hasta 175°C
Tipo de Encapsulado	SOIC-8

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