El SI9410BDY-T1-GE3 es un MOSFET de canal N único de potencia. Está diseñado principalmente para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia y gestión de energía en circuitos de baja tensión.
Especificaciones Técnicas Claves
- Voltaje Drenaje-Fuente: Máximo 30 V.
- Corriente Continua de Drenaje: Hasta 6.2 A
- Resistencia en Encendido : Extremadamente baja para reducir pérdidas de calor:
- (24 mΩ) con un voltaje de compuerta de 10 V.
- (38 mΩ) con un voltaje de compuerta de 4.5 V.
- Encapsulado: SO-8 estándar de montaje superficial (SMD).
- Nomenclatura (GE3): Significa que es un componente libre de halógenos y totalmente compatible con las normativas ambientales RoHS.
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