El SI4842DY-T1-E3 es un transistor MOSFET de potencia de canal N de 30 V. Se encuentra diseñado con tecnología TrenchFET®, lo que le permite optimizar la eficiencia y reducir las pérdidas de conducción en sistemas de conmutación de energía.
Caracteristicas Tecnicas:
- Voltaje Drenaje-Fuente: 30 V (máximo admisible entre drenaje y fuente).
- Voltaje Puerta-Fuente : ±20 V.
- Corriente Continua de Drenaje: Hasta 23 A (a una temperatura ambiente de 25 °C).
- Resistencia en Conducción: Extremadamente baja para minimizar el calentamiento:
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- 0.0045 Ω (4.5 mΩ) cuando Vgs = 10 V.
- 0.0060 Ω (6.0 mΩ) cuando Vgs = 4.5 V.
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- Encapsulado: SO-8 (SOP-8) de montaje superficial (SMD) con 8 pines.
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