El RJP63F3 es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de canal N. Está optimizado para la conmutación de potencia de alta velocidad y es ampliamente utilizado en la reparación de televisores de plasma y sistemas de gestión de energía.
Especificaciones Técnicas (Sin Abreviaturas)
A continuación se detallan sus características principales con sus nombres completos:
- Voltaje Máximo entre Colector y Emisor: 630 Voltios.
- Corriente Continua de Colector: 40 Amperios.
- Corriente de Colector Pico (Pulsada): 200 Amperios.
- Voltaje Máximo entre Puerta y Emisor: ±30 Voltios.
- Voltaje de Saturación típico entre Colector y Emisor: 1.7 Voltios (la energía que se pierde cuando el transistor está encendido).
- Tiempo de Caída en Conmutación: 100 Nanosegundos (indica su rapidez para apagarse).
- Potencia Máxima Disipada: 30 Vatios (a una temperatura de 25 grados Celsius).
- Temperatura Máxima de Operación: 150 Grados Celsius.
- Tipo de Encapsulado: TO-220FL (un formato de tres terminales aislado plásticamente)
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