El RJH60F7 es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de canal N, diseñado principalmente para la conmutación de potencia de alta velocidad, Y se utiliza ampliamente en equipos que requieren manejar altos voltajes y corrientes de manera eficiente.
- Voltaje Máximo entre Colector y Emisor: 600 Voltios (es la tensión máxima que puede soportar antes de dañarse).
- Corriente Continua de Colector: 90 Amperios (medidos a una temperatura ambiente de 25 grados Celsius).
- Voltaje de Saturación entre Colector y Emisor: 1.35 Voltios (es la caída de energía interna cuando el transistor está totalmente encendido).
- Voltaje Máximo entre Puerta y Emisor: más o menos 30 Voltios (el límite de control para activar el componente).
- Tiempo de Caída en Conmutación: 80 Nanosegundos (indica qué tan rápido puede dejar de conducir electricidad).
- Potencia Total Disipada: 328 Vatios (la cantidad máxima de calor que puede liberar antes de quemarse).
- Tipo de Encapsulado: Transistor de contorno grande con tres terminales (conocido técnicamente como TO-247)
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