El RJH60D3DPP es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de canal N. Está diseñado principalmente para aplicaciones en inversores y sistemas de conmutación de potencia.
- Voltaje Máximo entre Colector y Emisor: 600 Voltios.
- Corriente Continua de Colector (a 25 °C): 35 Amperios.
- Corriente Continua de Colector (a 100 °C): 17 Amperios.
- Corriente de Colector Pico (Pulsada): 70 Amperios.
- Voltaje de Saturación entre Colector y Emisor: 1.6 Voltios (valor típico).
- Potencia Máxima Disipada: 40 Vatios.
- Voltaje Máximo entre Puerta y Emisor: ±30 Voltios.
- Tiempo de Caída (Conmutación): 0.07 Microsegundos (aproximadamente 70 nanosegundos).
- Diodo de Recuperación Rápida Integrado: Sí, con un voltaje en directo de 1.3 Voltios.
- Tipo de Encapsulado: TO-220FL (un formato de tres terminales con aislamiento plástico)
Valoraciones
No hay valoraciones aún.