El RJH30E3 es un transistor IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada) de canal N, diseñado para conmutación de potencia a alta velocidad. Este dispositivo combina la facilidad de control de un MOSFET con la capacidad de manejo de alta corriente de un transistor bipolar, siendo común en aplicaciones de electrónica de potencia robustas.
Especificaciones Técnicas Principales
- Tipo de Transistor: Canal N, optimizado para conmutación de alta velocidad.
- Voltaje Colector-Emisor: 360 V (basado en la serie RJH30E).
- Corriente de Colector: 30 A a 40 A (según variante específica).
- Encapsulado: TO-3P (diseño para montaje a través de orificio con excelente disipación térmica).
- Voltaje de Saturación: Típicamente bajo, alrededor de 1.5 V, lo que minimiza las pérdidas por conducción.
- Diodo Integrado: Incluye un diodo de recuperación rápida (Fast Recovery Diode) para protección en cargas inductivas.
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