El RFP50N06 es un transistor MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y alta corriente, como reguladores de conmutación, controladores de motor y relevadores.
| Tipo de Transistor | MOSFET de Canal N (Enriquecimiento) |
| Voltaje Drenaje-Fuente | 60 V |
| Corriente de Drenaje Continua | 50 A |
| Resistencia en Conducción | 22 m |
| Disipación de Potencia Máxima | 131 W |
| Voltaje de Umbral de Puerta | 2.0 V a 4.0 V |
| Carga de Puerta Total | 150 nC |
| Encapsulado | TO-220-3 (Agujero pasante) |
| Temperatura de Operación | -55 °C a +175 °C |
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