El P0903BDG es un transistor MOSFET de canal N de modo enriquecimiento, fabricado principalmente por Niko Semiconductor (NIKO-SEM) y Wuxi U-NIKC Semiconductor. Está diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y gestión de energía en circuitos como convertidores DC-DC y controladores de motores.
Especificaciones Técnicas
De acuerdo con las hojas de datos de NIKO-SEM y U-NIKC, sus parámetros principales son:
- Voltaje Drenaje-Fuente: 25V.
- Corriente de Drenaje Continua: Hasta 50A – 56A (según la variante y temperatura de operación).
- Resistencia en conducción : Típicamente 7.5 mΩ (máximo 9.5 mΩ) a un voltaje de compuerta de 10V.
- Voltaje de Umbral de Compuerta : Entre 1V y 3V, lo que lo hace compatible con niveles lógicos.
- Disipación de Potencia Máxima : Aproximadamente 49W – 50W a una temperatura de carcasa de 25°C.
- Encapsulado: TO-252 (también conocido como D-PAK), diseñado para montaje en superficie (SMT).
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