El MMBZ12VALT1G es un arreglo doble de diodos Zener para la supresión de voltajes transitorios (TVS) configurados en ánodo común, diseñado y fabricado por onsemi. Su propósito principal es proteger componentes electrónicos sensibles contra descargas electrostáticas (ESD) y picos de sobrevoltaje destructivos en diseños de alta densidad de componentes.
Características técnicas principales:
- Configuración interna: Doble diodo con ánodo común (pines 1 y 2 actúan como cátodos independientes; el pin 3 es el ánodo compartido). Puede usarse como dos protectores unidireccionales separados o como uno bidireccional si se puentean externamente.
- Voltaje de ruptura Zener (Breakdown): Nominal de 12 V (mínimo de 11.4 V y máximo de 12.6 V).
- Voltaje de trabajo inverso (Standoff Voltage): 8.5 V, voltaje máximo al cual el componente no conduce y se mantiene transparente para el circuito.
- Voltaje máximo de sujeción (Clamping Voltage): 17 V a su corriente de pulso pico, nivel máximo al que reducirá el transitorio para proteger la carga.
- Disipación de potencia pico: Soporta hasta 40 W en pulsos transitorios de corta duración (1.0 ms).
- Disipación de potencia continua: 300 mW en estado estable.
- Corriente de fuga muy baja: Menor a 5.0 µA a un voltaje de 8.5 V, lo que minimiza pérdidas de energía en estado de reposo.
- Encapsulado de montaje superficial: Formato estándar SOT-23 de 3 pines, ideal para procesos de ensamblaje automatizado y placas de circuito impreso densas.
- Certificación automotriz opcional: Su variante califica bajo el estándar AEC-Q101, garantizando alta fiabilidad en entornos hostiles.
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