El MMBT8550 es un transistor de unión bipolar de tipo Positivo-Negativo-Positivo fabricado en silicio, diseñado para aplicaciones de amplificación de potencia media y conmutación rápida en dispositivos electrónicos compactos.
Especificaciones Técnicas Principales:
- Voltaje máximo entre Colector y Emisor: Soporta un máximo de 25 Voltios.
- Voltaje máximo entre Colector y Base: Soporta hasta 40 Voltios.
- Voltaje máximo entre Emisor y Base: Soporta hasta 5 Voltios.
- Corriente máxima de Colector: Puede manejar una corriente continua de hasta 1.5 Amperios (1500 Miliamperios).
- Disipación de potencia total: Capaz de liberar hasta 300 Milivatios de calor.
- Ganancia de corriente continua: Su capacidad de amplificación suele situarse entre 85 y 300, dependiendo de la corriente de carga.
- Frecuencia de transición: Funciona eficientemente en señales de hasta 100 Megahertzios.
- Tipo de montaje: Diseñado para montaje superficial bajo el formato estándar SOT-23.
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