El MMBFJ112 es un transistor de efecto de campo de unión (JFET) de canal N, diseñado principalmente como un interruptor analógico de bajo nivel, aunque también se utiliza en circuitos de muestreo y retención (sample and hold) y amplificadores estabilizados por chopper.
Voltaje de ruptura Puerta-Fuente: -35 V
Voltaje de corte Puerta-Fuente: -1.0 V y -5.0 V
Corriente de drenaje de saturación: Mínimo de 5.0 mA
Resistencia en conducción: Máximo de 50 Ohm
Disipación de potencia total: 350 mW
Encapsulado: SOT-23
Intercambiabilidad: Los terminales de Fuente (Source) y Drenaje (Drain) son intercambiables en este modelo.
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