$ 4.500
21 disponibles
El MMBFJ111 es un transistor de efecto de campo de unión (JFET) de canal N, diseñado específicamente para aplicaciones de conmutación analógica de bajo nivel, circuitos de muestreo y retención (sample and hold) y amplificadores estabilizados por chopper.
Voltaje de ruptura Puerta-Fuente: -35 V
Voltaje de corte Puerta-Fuente: Entre -3.0 V y -10 V
Resistencia en conducción: Máximo de 30 Ohm
Corriente de drenaje continua: 20 mA
Disipación de potencia total: 350 mW
Encapsulado: SOT-23
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El MMBFJ111 es un transistor de efecto de campo de unión (JFET) de canal N, diseñado específicamente para aplicaciones de conmutación analógica de bajo nivel, circuitos de muestreo y retención (sample and hold) y amplificadores estabilizados por chopper.
| Voltaje de ruptura Puerta-Fuente | -35 V |
|---|---|
| Voltaje de corte Puerta-Fuente | Entre -3.0 V y -10 V |
| Resistencia en conducción | Máximo de 30 Ohm |
| Corriente de drenaje continua | 20 mA |
| Disipación de potencia total | 350 mW |
| Encapsulado | SOT-23 |
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