El MM75G5U65BX es un transistor discreto de potencia tipo IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada). Está diseñado con tecnología Trench Field-Stop (Trench FS) para aplicaciones industriales de conmutación de alta velocidad y alta eficiencia energética.
Especificaciones Técnicas Clave:
- Voltaje Colector-Emisor: 650 Voltios. Soporta tensiones continuas y picos en ese rango.
- Corriente de Colector: 75 Amperios. Es la corriente máxima de conducción continua que puede manejar bajo una refrigeración adecuada.
- Voltaje de Saturación: 1.65 Voltios típicamente. Presenta una baja caída de tensión en estado de conducción, lo que reduce las pérdidas por calor. Cuenta además con un coeficiente de temperatura positivo (ideal para conectar unidades en paralelo).
- Disipación de Potencia Máxima: 385 Vatios.
- Diodo de Recuperación Rápida: Incluye un diodo integrado en antiparalelo (Free Wheeling Diode) con características de recuperación suave para proteger el transistor contra corrientes inversas.
- Encapsulado: TO-247-3L (de 3 pines a través de orificio / Through-Hole), excelente para acoplarse con alta presión a disipadores térmicos.
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