El MJE253G es un transistor bipolar de tipo PNP de silicio, diseñado específicamente para ser la pareja complementaria del MJE243G. Se utiliza principalmente en aplicaciones de potencia media y amplificación de audio. Es fabricado por empresas como onsemi.
- Polaridad del Transistor: Positivo-Negativo-Positivo (PNP).
- Voltaje Máximo entre Colector y Emisor: -100 Voltios.
- Voltaje Máximo entre Colector y Base: -100 Voltios.
- Voltaje Máximo entre Emisor y Base: -7 Voltios.
- Corriente de Colector Continua: -4 Amperios (corriente constante que puede circular por el dispositivo).
- Corriente de Colector Pico: -8 Amperios (capacidad para soportar pulsos de corriente breves).
- Ganancia de Corriente Continua: Mínimo de 40 (a 1 Amperio) y hasta 120 (a 500 miliamperios).
- Disipación de Potencia Total: 15 Vatios (siempre que se utilice un disipador de calor adecuado a 25 grados Celsius).
- Frecuencia de Transición: 40 Megahertz (la velocidad de respuesta del transistor).
- Rango de Temperatura de Operación: Desde -65 hasta +150 Grados Celsius.
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