El MJE243G es un transistor bipolar de tipo NPN de silicio, diseñado para aplicaciones de potencia media como amplificadores de audio de alta fidelidad y controladores de conmutación rápida. Es fabricado principalmente por onsemi.
- Polaridad del Transistor: Negativo-Positivo-Negativo (NPN).
- Voltaje Máximo entre Colector y Emisor: 100 Voltios (la tensión máxima que soporta cuando no hay señal en la base).
- Voltaje Máximo entre Colector y Base: 100 Voltios.
- Voltaje Máximo entre Emisor y Base: 7 Voltios.
- Corriente de Colector Continua: 4 Amperios (la corriente constante que puede circular por el dispositivo).
- Corriente de Colector Pico: 8 Amperios (capacidad para soportar pulsos de corriente muy elevados y breves).
- Ganancia de Corriente Continua: Mínimo de 40 (a 1 Amperio) y hasta 120 (a 500 miliamperios).
- Disipación de Potencia Total: 15 Vatios (cuando se utiliza un disipador de calor adecuado a una temperatura de 25 grados Celsius).
- Frecuencia de Transición: 40 Megahertz (la velocidad máxima a la que el transistor puede conmutar o amplificar señales).
- Rango de Temperatura de Operación: Desde -65 hasta +150 Grados Celsius.
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