MJE182G Transistor NPN

$ 6.500

3 disponibles

El MJE182G es un transistor bipolar de unión (NPN) de silicio diseñado para aplicaciones de amplificación de audio de baja potencia y conmutación de alta velocidad con corrientes bajas.

  • Voltaje Máximo entre Colector y Emisor: 80 Voltios.
  • Voltaje Máximo entre Colector y Base: 100 Voltios.
  • Voltaje Máximo entre Emisor y Base: 7 Voltios.
  • Corriente de Colector Continua: 3 Amperios.
  • Corriente de Colector Pico: 6 Amperios.
  • Disipación de Potencia Total: 12.5 Vatios (con disipador térmico adecuado).
  • Ganancia de Corriente Continua: Mínimo de 50 (a 100 miliamperios) y hasta 250 según las condiciones.
  • Voltaje de Saturación entre Colector y Emisor: Máximo de 1.7 Voltios (cuando el transistor está totalmente encendido a 3 Amperios).
  • Frecuencia de Transición: 50 Megahertz (determina la velocidad máxima de conmutación).
  • Rango de Temperatura de Operación: Desde -65 hasta +150 Grados Celsius.

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Datasheet

Descripción

El MJE182G es un transistor bipolar de unión (NPN) de silicio diseñado para aplicaciones de amplificación de audio de baja potencia y conmutación de alta velocidad con corrientes bajas.

  • Uso común: Ideal para etapas de salida en amplificadores de audio pequeños y para conmutar cargas de hasta 3 Amperios en circuitos digitales.
  • Transistor Complementario (PNP): El modelo equivalente en polaridad opuesta es el MJE172G.

Información adicional

Voltaje Máximo entre Colector y Emisor

80V

Voltaje Máximo entre Colector y Base

100V

Voltaje Máximo entre Emisor y Base

7V

Corriente de Colector Continua

3A

Corriente de Colector Pico

6A

Disipación de Potencia Total

12.5 V

Ganancia de Corriente Continua

50 (a 100 miliamperios) y hasta 250 Segun las condiciones

Voltaje de Saturación entre Colector y Emisor

Máximo de 1.7 Voltios

Frecuencia de Transición

 50 Megahertz

Rango de Temperatura de Operación

 Desde -65 hasta +150 Grados Celsius

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