El MJD45H11G es un transistor de potencia bipolar de tipo PNP fabricado en silicio.
- Voltaje Máximo entre Colector y Emisor: Soporta hasta 80 Voltios.
- Voltaje Máximo entre Colector y Base: Soporta hasta 80 Voltios.
- Voltaje Máximo entre Base y Emisor: Soporta hasta 5 Voltios.
- Corriente Continua en el Colector: Puede manejar un flujo constante de hasta 8 Amperios.
- Corriente Máxima en Pulsos: Aguanta picos breves de hasta 16 Amperios.
- Capacidad de Disipación de Potencia: Puede liberar hasta 20 Vatios de calor (con una temperatura de carcasa de 25 grados centígrados).
- Ganancia de Corriente Continua: Tiene una capacidad de amplificación mínima de 40 a 60 veces la señal de entrada.
- Frecuencia de Transición: Funciona en circuitos que cambian de estado hasta 40 Megahertz.
- Voltaje de Saturación Colector-Emisor: Cuando está totalmente encendido, pierde un máximo de 1 Voltio.
- Tipo de Montaje: Diseñado para montaje superficial.
- Forma del Componente: Utiliza el diseño estándar DPAK (TO-252).
- Pareja Complementaria (NPN): Su «espejo» positivo es el MJD44H11G.
Valoraciones
No hay valoraciones aún.