El MJD44H11T4G es un transistor bipolar de potencia de tipo NPN diseñado para aplicaciones de conmutación rápida y amplificación de potencia.
- Voltaje Máximo entre Colector y Emisor: Soporta hasta 80 Voltios.
- Voltaje Máximo entre Colector y Base: Soporta hasta 80 Voltios.
- Voltaje Máximo entre Base y Emisor: Soporta hasta 5 Voltios.
- Corriente Continua en el Colector: Puede manejar un flujo constante de hasta 8 Amperios.
- Corriente Máxima en Pulsos: Aguanta picos breves de corriente de hasta 16 Amperios
- Capacidad de Disipación de Potencia: Puede liberar hasta 20 Vatios de calor (siempre que esté bien soldado a una superficie que ayude a enfriarlo).
- Ganancia de Corriente Continua: Tiene una capacidad de amplificación mínima de 40 a 60 veces la señal de entrada.
- Frecuencia de Transición: Puede trabajar en circuitos que cambian de estado hasta 50 Megahertz.
- Voltaje de Saturación Colector-Emisor: Cuando está totalmente encendido, solo pierde un máximo de 1 Voltio
- Tipo de Montaje: Es para montaje superficial (se suelda directamente sobre la placa).
- Forma del Componente: Utiliza el diseño estándar llamado DPAK (también conocido como TO-252).
- Rango de Temperatura: Funciona correctamente entre 55 grados bajo cero y 150 grados centígrados.
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